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华为IGBT调研:今年光伏逆变器或将小批量量产,未来自产和外购混用

2021-02-01 08:38:01 来源:智通财经 作者:佚名

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  智通财经网

  本文来自 微信公众号“深耕基本面”。

  专家讲解:

  国内可以完成单面水冷和单面直冷散热,但是双面水冷和双面直冷还不能量产。
华为IGBT调研:今年光伏逆变器或将小批量量产,未来自产和外购混用
    国内斯达、宏微都是Fabless,士兰微和中车时代电气(03898)是IDM。
    国内主流工控主要就是斯达、宏微和士兰微,价格相当于国外产品降价20%-40%。
    目前IGBT上游普遍涨价,基本上国外物料涨价幅度超过10%。

  2019年下半年IGBT价格是比较平稳的,但是从2020年下半年开始,随着新能源车销量上升,IGBT价格也有上升趋势。
    Q&A

  Q:能不能从技术能力、性能等方面对比一下斯达、比亚迪(01211)、中车以及士兰微的IGBT能力?IDM在IGBT行业有多大的优势,斯达是不是已经快要摸到天花板了?

  A:斯达在工控和车载上切入最早,因此客户和认证是最完善的。比亚迪的IGBT技术还是以NPT为主,性能不太好,然后因为自身电池的关系需要用1200V的IGBT,但是他有自己的车厂,应用认证更方便;士兰微以前重点在白电的IPM和低功率的工控,现在在往中高压工控和汽车去转,而工控需要10kHz以上,认证需要时间。

  IDM肯定是存在优势的,士兰微需要先在工控上做好,让车企看到高压高频用的比较好了,然后再发展会更顺利。斯达有了多年技术积累和认证经验,是有先发优势的,但是fabless确实存在问题。

  Q:未来斯达往A、B级车去转的话,客户会不会对fabless存在犹豫?

  A:IDM最大的优势一个是成本优势,第二个是与设计结合的更加紧密,fab需要严格质量把控,fabless要完全交给代工厂了。斯达在2018年缺货的时候,华虹给斯达涨了三次价格,后来斯达也在国外和smic找别的代工(更多资讯纪要加微:aileesir),但是自己建厂或者转代工还是很困难的,短期内斯达只能是fabless,在成长到一定程度他肯定要去转IDM。士兰微现在要落后于斯达,未来来看可能会走在前面。

  Q:华虹目前能解决12寸IGBT减薄的工艺问题吗?

  A:还解决不了,全球只有英飞凌能够供货12寸IGBT,做的是IGBT7。12寸有两个技术,一个是从120微米转到80微米,第二个就是背面高能离子注入(氢离子注入),12寸的翘曲很严重,离子注入的话裂片会很严重。国内可以勉强解决翘曲,但是离子注入就很难了。

  Q:国内谁第七代IGBT研发的比较顺利?觉得谁能做出来?

  A:第七代IGBT目前主要用在工控上面,还有部分特斯拉(TSLA.US)model 3用了IGBT 7(一开始用的是SiC),未来产能上来会逐渐往IGBT

  7转。第七代的成本优势很大,英飞凌可以实现5%的年降。

  我们去年走了国内所有的IGBT厂商,最先立项的IGBT

  7的就是斯达和士兰微。他们两家推进都走在前面吧,斯达在和华虹无锡合作;士兰微已经购入了离子注入机,有产品在他们的12寸晶圆厂开始试流片。

  Q:斯达的研发人员来自于哪里?模块封装技术强在哪里?

  A:斯达主要有两个研发团队,一个是收购的IR团队,一个是欧洲的赛米控团队,封装团队主要就是浙大的团队。他对下游市场理解能力比较强,产品覆盖很多行业。

  Q:宏微做的怎么样?

  A:营销能力比较一般,当年2018年缺货的时候,英飞凌工业模块半年到一年交期,车载一年交期,斯达给汇川供货策略是紧急物料半个月到货,一般物料一个月物料,小客户全部断供,然后斯达把汇川做起来了,宏微是谁都供,最后也没把握住大客户。

  Q:光伏IGBT难度在哪里?

  A:英飞凌还专门做了IGBT

  6,开关频率很高,50-100kHz。斯达在这一块是没有技术积累的,能做的光伏产品就是比较大的模块,效率比较低的光伏逆变器,用的半管,华为的需要的是对开关频率要求很高的,斯达没有替代的产品。其实全球光伏IGBT做的最好的也不是英飞凌,是vincotech。

  Q:华为会自己做IGBT用在光伏逆变器上面吗?造车会自己做SiC模块吗?

  A:华为2019年成立了自己的功率部门,主要针对光伏逆变器、UPS、车载和基站射频器件,在开发IGBT、sic器件等都在弄。目前在小批量试产,今年光伏逆变器可能会小批量量产。华为是针对英飞凌的IGBT

  6去开发的。华为以后肯定不会都用自己的,自己的和外购混用。

  Q:斯达给宇通客车供货的SiC MOS模块是怎么开发的?

  A:SiC mos模块需要重新开发封装,才能充分利用SIC器件的优势。斯达目前给宇通的就是套用了硅基的封装,还没开发专门的SiC模块封装。

  Q:觉得SiC MOS模块什么时候能够取代IGBT?现在的替代趋势是加速的吗?

  A:考虑两个方面,一个是SiC衬底价格下降幅度和对电池节省的成本,第二个是IGBT技术进步和价格下降幅度。这两个降本是动态进行的,当IGBT降价无法进行的时候,SiC就有优势了,再加上SiC可以降低电控的体积。

  (编辑:赵芝钰)

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